Toshiba и SanDisk начнут общее изготовление двухслойной 3D V-NAND лишь в 2016 году

Организация SanDisk сообщила, что начнёт общее изготовления двухслойной 3D V-NAND флеш-памяти вместе с Toshiba лишь в 2016 году, т.е. через 3 года после старта глобального изготовления 3D V-NAND организацией «Самсунг» Электроникс. Так что, у заключительной будет солидное превосходство перед соперниками ещё несколько кварталов подряд.

«Разработка нашей 3D NAND технологии прогрессирует. Мы рассчитываем включить квалифицированное изготовление во 2-й половине 2015 года и собираемся начать индустриальное изготовление в 2016 году», — заявил Санджей Мехротра (Sanjay Mehrotra), директор компании SanDisk, в процессе телефонной пресс-конференции с инвесторами и денежными специалистами.

Двухслойная 3D V-NAND флеш-память располагает до 32 слоёв NAND в одном кристалле. Такой подход дает возможность повысить ёмкость чипов без понижения объемов персональных ячей памяти. Так что, отпадает потребность использования новых технологий изготовления полупроводников.

Как нам известно, при применении сверхтонких общепризнанных мерок изготовления понижается мощность и надёжность NAND флеш-памяти. Так как 3D V-NAND память не требует наиболее передовых общепризнанных мерок изготовления для повышения ёмкости, то организация «Самсунг» применяет для собственных 3D V-NAND чипов организованный 42-нм технический процесс. Это повышает надёжность и мощность чипов флеш-памяти сравнивая с заключениями, произведёнными по 19-нм технологии.

NAND стрит память Toshiba, выпущенная по технологии 15hm

NAND стрит память Toshiba, произведённая по технологии 15 hm

Организация «Самсунг» широко делает 3D V-NAND память с 2013 года. Применение такой памяти дает возможность компании предоставлять заказчикам доступные производительные SSD. Так как SanDisk и Toshiba не начнут глобального изготовления 3D V-NAND ещё максимум два года, «Самсунг» продолжит иметь в своём запасе солидное конкурентоспособное превосходство.

В обозримых проектах компании SanDisk начать поставки решений на основе NAND флеш-памяти, произведённой по технологии 15 hm. Впрочем узкая «тонкая» система позволит удешевить изготовление памяти, двухслойная память «Самсунг» будет всё равно выгоднее в пересчёте на стоимость одного бита. Кроме того 15-нм память будет менее производительна и менее надёжна, чем 3D V-NAND. Все-таки, управляющий SanDisk заявляет, что NAND-память от SanDisk/Toshiba, произведённая по общепризнанным меркам 15 hm, — наиболее дешёвая флеш-память в промышленности.

«Мы рассчитываем начать поставки 15-нм памяти в данном месяце, изготовление в существенных числах начнётся в I квартале 2015 года», — сообщил г-н Мехротра. «Мы полагаем, что MLC и TLC память, произведённая по 15-нм техпроцессу, будет самой дешёвопль в промышленности. Новая память позволит формировать решения для самых различных частей рынка, от потребительских до направленных на предприятия».

Вы можете оставить комментарий, или ссылку на Ваш сайт.

Оставить комментарий