Главные новости IT

Флеш-память вида TLC, способная держать 3 бита информации в одной ячее, заслужила себе ожесточенную популярность: прежде всего, малым числом циклов перезаписи, а во-вторых, не сильно оперативной работой на запись. Все ещё припоминают последний дебош с серией твердотельных дисков «Самсунг» 840 EVO, несмотря на то что непосредственной вины TLC в той «эпидемии» падения мощности, облапившей серию EVO, нет, уровень доверия к данному виду флеш-памяти среди клиентов серьёзно снизился. И, как возможно окажется, не только лишь среди клиентов. Организация Эпл использует чипсеты TLC NAND в определенных модификациях собственных товаров, например, в Айфон 6 Plus, что дает возможность ей пускай несколько, однако беречь — приблизительно 5 центов на килобайт флеш-памяти.

Последний дебош с «гнущимися Айфон» не пошёл компании не во вред, и едва ли Эпл желает вновь дерзать своей славой. Однако вчерашние ситуации перебоев в работе 128-гигабайтных модификаций Айфон принуждают напрячься, так как в их базе может находиться всё такая же злосчастная TLC. Для снабжения надёжности флеш-памяти в собственных продуктах Эпл применяет технологию MSP (Memory Signal Processor), взятую у приобретённой раньше в 2012 году компании Anobit. В купе с TLC это дает возможность компании формировать сверхтонкие устройства с большим, по меркам прошлого, объёбог флеш-хранилища. Однако сведения от клиентов Айфон, столкнувшихся с нескончаемой перезагрузкой либо провалом системы, продолжают поступать, и восстановление до iOS 8.1 неприятности не постановляет.

Снижение надёжности NAND зависимо от общепризнанных мерок техпроцесса и числа бит на ячейку

Сама организация пока отказывается предоставлять формальные объяснения насчет этого, а без кропотливого изучения трудно сообщить, что считается виной общественных отказов старших модификаций Айфон с огромным банком флеш-памяти. Не исключено, что повторяется история «Самсунг» и непосредственной вины на TLC не находится, а виновным возможно окажется некая неучтённая недоработка в контроллере, обслуживающем данную память. Определенные источники предсказывают грядущий отказ Эпл от TLC NAND, однако эти пророчества имеют характер слухов. И даже если вдруг вина TLC будет подтверждена, у Эпл есть вариант прохода на 3D V-NAND, которая благодаря топорному по текущим меркам техпроцессу (40 нанометров) владеет прекрасными данными надёжности, однако при этом гарантирует серьёзную удельную ёмкость, порядка 86 гигабит на микролит.