Эпл может закончить применять TLC NAND

Флеш-память вида TLC, способная держать 3 бита информации в одной ячее, заслужила себе ожесточенную популярность: прежде всего, малым числом циклов перезаписи, а во-вторых, не сильно оперативной работой на запись. Все ещё припоминают последний дебош с серией твердотельных дисков «Самсунг» 840 EVO, несмотря на то что непосредственной вины TLC в той «эпидемии» падения мощности, облапившей серию EVO, нет, уровень доверия к данному виду флеш-памяти среди клиентов серьёзно снизился. И, как возможно окажется, не только лишь среди клиентов. Организация Эпл использует чипсеты TLC NAND в определенных модификациях собственных товаров, например, в Айфон 6 Plus, что дает возможность ей пускай несколько, однако беречь — приблизительно 5 центов на килобайт флеш-памяти.

Последний дебош с «гнущимися Айфон» не пошёл компании не во вред, и едва ли Эпл желает вновь дерзать своей славой. Однако вчерашние ситуации перебоев в работе 128-гигабайтных модификаций Айфон принуждают напрячься, так как в их базе может находиться всё такая же злосчастная TLC. Для снабжения надёжности флеш-памяти в собственных продуктах Эпл применяет технологию MSP (Memory Signal Processor), взятую у приобретённой раньше в 2012 году компании Anobit. В купе с TLC это дает возможность компании формировать сверхтонкие устройства с большим, по меркам прошлого, объёбог флеш-хранилища. Однако сведения от клиентов Айфон, столкнувшихся с нескончаемой перезагрузкой либо провалом системы, продолжают поступать, и восстановление до iOS 8.1 неприятности не постановляет.

Снижение надёжности NAND зависимо от общепризнанных мерок техпроцесса и числа бит на ячейку

Снижение надёжности NAND зависимо от общепризнанных мерок техпроцесса и числа бит на ячейку

Сама организация пока отказывается предоставлять формальные объяснения насчет этого, а без кропотливого изучения трудно сообщить, что считается виной общественных отказов старших модификаций Айфон с огромным банком флеш-памяти. Не исключено, что повторяется история «Самсунг» и непосредственной вины на TLC не находится, а виновным возможно окажется некая неучтённая недоработка в контроллере, обслуживающем данную память. Определенные источники предсказывают грядущий отказ Эпл от TLC NAND, однако эти пророчества имеют характер слухов. И даже если вдруг вина TLC будет подтверждена, у Эпл есть вариант прохода на 3D V-NAND, которая благодаря топорному по текущим меркам техпроцессу (40 нанометров) владеет прекрасными данными надёжности, однако при этом гарантирует серьёзную удельную ёмкость, порядка 86 гигабит на микролит.

Вы можете оставить комментарий, или ссылку на Ваш сайт.

Оставить комментарий